IT之家 1 月 21 日新闻，韩媒 MoneyToday 外地时光昨日表现，三星电子已将其 1c nm DRAM 内存开辟的良率里程碑时光从 2024 岁尾推迟至 2025 年 6 月，而这一变更可能会影响到三星对 HBM4 内存的计划。三星电子原打算在 2024 年 12 月将 1c nm 制程 DRAM 的良率晋升至 70%，到达停止开辟任务、进入量产阶段所需的程度。但在现实情形中，三星虽于客岁底胜利制得 1c nm DRAM 的良品晶粒，团体良率却无奈满意请求。三星上代 1b nm 内存于 2022 年 10 月实现开辟、2023 年 5 月量产；假如 1c nm 的开辟停止时光定于往年中，那么量产就要落到 2025 岁尾，两代 DRAM 工艺间的距离会离开约 2.5 年，这显明擅长 1.5 年的业界个别开辟周期。另一方面，三星电子在 DRAM 内存范畴的两年夜竞争敌手中，SK 海力士已于 2024 年 8 月发布 1c nm 开辟胜利，而美光外部的打算是在往年 4 月实现开辟；三星很可能成为最后一家官宣 1c nm DRAM 的三年夜原厂。1c nm DRAM 自身的推迟也将影响到后续内存产物的进度，尤其是在三礼拜许经由过程其重夺 HBM 市场引导位置的 HBM4 上。三星此前打算在 2025 年内量产基于 1c nm DRAM 跟 4nm 逻辑芯片的 HBM4，以当先制程博得竞争上风。业内新闻人士表现，三星电子也在对 1c nm DRAM 的计划停止调剂，并尽可能地放慢开辟时光。